[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-12] ZnO TFTに対するHeプラズマ処理の影響

〇新屋 翔太郎¹、金子 豊和¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大　ナノ材研)

キーワード：酸化亜鉛、薄膜トランジスタ、Heプラズマ処理

TFTの性能向上のためには, 接触抵抗を含めたアクセス抵抗の低減が不可欠である.抵抗を低減させる方法としてアルゴンや水素を用いたプラズマ処理があるが, 最近ヘリウム（He）を用いたプラズマ処理が有望な方法であることが報告されている.Heプラズマ処理はアルゴンや水素プラズマ処理に比べて安定した処理方法といわれているが低抵抗化の起源は解明できていない.我々は, Heプラズマ処理プロセスの低抵抗化の起源の解析を行うとともに, ZnO-TFT作製プロセスにHeプラズマ処理を導入したことでドレイン電流値・伝達コンダクタンスの増大が見られたので, それらの結果を報告する.