[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

△ [8a-PA4-14] AgO_X/InGaZnOショットキー接合形成に向けた反応性スパッタ法によるAgO_Xの形成と物性評価

〇橋本 慎輔¹、曲 勇作¹、濵田 賢一朗¹、古田 守^1,2 (1.高知工科大、2.総研)

キーワード：酸化銀、InGaZnO、ショットキー接合