[8a-PA4-1~31] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

△ [8a-PA4-25] Solid phase epitaxy of β-Ga₂O₃ on NiO self-assembly formed nanostructures by room-temperature laser process

〇Hiroyuki Morita¹, Kisho Nakamura¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:beta-Ga2O3, epitaxial growth, nanostructure

我々のグループではこれまでにエピタキシャル薄膜の表面平坦性や界面急峻性の改善を狙い、酸化ニッケル（NiO）バッファ層による格子ミスマッチの低減と室温エキシマレーザーアニーリング（ELA）によるβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の作製などを報告してきた。NiOナノ周期構造上おけるβ-Ga₂O₃の固相エピタキシー、β-Ga₂O₃エピタキシャルナノ材料の結晶性や配向性などの構造や、電子・光学特性などに及ぼす影響について検討した。