[8a-PB4-1~20] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [8a-PB4-13] 不純物添加法を用いたSi(111)基板上へのSiC薄膜成長

〇井本 幸希¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九州大学)

キーワード：SiC