[8a-PB4-1~20] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[8a-PB4-19] 短ギャップRFマグネトロンスパッタを用いたGa添加ZnOの成膜

〇松田 良信¹、坂本 康平¹、松尾 直樹¹、古里 友宏¹、山下 敬彦¹ (1.長崎大院工)

キーワード：Ga添加ZnO、マグネトロン、スパッタリング

ZnO系材料のスパッタリング成膜では、ターゲット浸食領域対向部でキャリア密度と移動度が低下する．今回，Ga添加ZnO（GZO）ターゲットを用いてターゲット・基板間距離を極端に短くした短ギャップスパッタリング成膜を行ったところ，ギャップ長の低下とともに，膜抵抗率が大幅に低下し空間分布の均一性が大幅に改善された．ギャップ長20mmのとき，膜厚100nmで約2×10^-4Ωcmの抵抗率を有するGZO膜が得られた．