[8a-PB4-1~20] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[8a-PB4-5] カーボンターゲットを用いたハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング中の粒子の挙動

〇(M1)伊賀 一憲¹、太田 貴之¹、小田 昭紀²、上坂 裕之³ (1.名城大理工、2.千葉工大、3.岐阜大工)

キーワード：ダイヤモンドライクカーボン、ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング、発光分光分析法

本研究では発光分光診断を行い、ArおよびAr+の発光強度の時間変化を計測した。成膜方法としてHiPIMSを用い、パルス幅を8.4µs、18.4µs、28.4µsと変化させた。Ar+の発光強度はArに対して遅れて増加した。これはArの励起エネルギーと電離エネルギーの差に起因すると考えられる。また、パルス幅の増加に伴いピーク発光強度は増加した。よってパルス幅の増加に伴いイオン化が促進されることが示唆された。