[8a-S22-1~9] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [8a-S22-2] Process Development for the Multi-Gate MOSFETs with InGaAs Nanosheet Channels

〇Kazuto Ohsawa¹, Toru Kanazawa¹, Nobukazu Kise¹, Tomohiro Amemiya¹, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:nanosheet channel, MOSFET, InGaAs

III-V族化合物半導体は将来のチャネル材料として注目されており、我々はこれまでにIII-V族チャネルにフィン構造を導入したInGaAs FinFETを作製し報告している。近年フィン構造の代替となりうる新たな構造としてチャネルを縦方向に積層したナノシートトランジスタがシリコン系材料において提案されている。本報告ではInGaAsナノシートチャネルを持つMOSFETの作製プロセスを提案する。