[8a-S22-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [8a-S22-2] InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発

〇大澤 一斗¹、金澤 徹¹、木瀬 信和¹、雨宮 智宏¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大)

キーワード：ナノシートチャネル、MOSFET、InGaAs

III-V族化合物半導体は将来のチャネル材料として注目されており、我々はこれまでにIII-V族チャネルにフィン構造を導入したInGaAs FinFETを作製し報告している。近年フィン構造の代替となりうる新たな構造としてチャネルを縦方向に積層したナノシートトランジスタがシリコン系材料において提案されている。本報告ではInGaAsナノシートチャネルを持つMOSFETの作製プロセスを提案する。