[8p-A201-1~7] 15.1 バルク結晶成長

[8p-A201-3] VB法β-Ga₂O₃単結晶の結晶方位制御

〇小林 拓実¹、大葉 悦子¹、宮川 千宏¹、中村 由夫¹、干川 圭吾² (1.不二越機械工業、2.信州大工)

キーワード：酸化ガリウム、垂直ブリッジマン法、結晶育成

大気中高周波加熱垂直ブリッジマン（VB）炉を用いた、β-Ga₂O₃単結晶の結晶方位制御育成技術と、育成したβ-Ga₂O₃単結晶の特徴について報告します。