2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » これからの未来を担う新ワイドギャップ酸化物材料Ga2O3

[8p-A204-1~10] これからの未来を担う新ワイドギャップ酸化物材料Ga2O3

2017年9月8日(金) 12:45 〜 17:00 A204 (204)

川原村 敏幸(高知工科大)、阿部 友紀(鳥取大)

13:00 〜 13:30

[8p-A204-2] 垂直ブリッジマン法によるβ-Ga2O3結晶成長

干川 圭吾1 (1.信州大工)

キーワード:β-Ga2O3結晶、垂直ブリッジマン法、融液成長法

高耐圧、低電力損失のパワーデバイス実現を目指して、β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)ワイドバンドギャップ半導体の研究開発が活発化している。我々は、β-Ga2O3結晶製造に関して、Vertical Bridgman(VB)法を取り上げ、結晶育成、特性評価・解析の研究を進めている。本発表では、従来のβ-Ga2O3結晶成長技術を概観し、VB法提案に至った経緯を説明する。またVB法結晶育成技術の現状を紹介し、今後の課題を考察する。