[8p-A204-1~10] これからの未来を担う新ワイドギャップ酸化物材料Ga2O3

[8p-A204-3] 準安定相酸化ガリウムのハライド気相成長

〇大島 祐一¹ (1.物質・材料研究機構)

キーワード：化合物半導体、エピタキシー

酸化ガリウムは、β相だけでなく、αやε相といった準安定相もまたワイドバンドギャップ半導体材料として有望であり、しかも、多様な混晶の形成や自発分極などβ相には無いユニークな特徴をもつことがわかってきた。デバイス応用のために重要な、エピタキシャル成長技術も報告され始めた。本講演では、ハライド気相成長法によるα-Ga₂O₃およびε-Ga₂O₃相の成長について、我々の取り組みを中心に紹介する。