2:30 PM - 2:45 PM
△ [8p-A204-5] The complete solid-solution β-(AlxGa1-x)2O3 realized by the epitaxial growth
Keywords:Ga2O3, PLD, Epitaxial Growth
β-(AlxGa1-x)2O3はβ-Ga2O3とのヘテロ接合デバイス応用が期待されている混晶半導体材料であるが,高Al組成側では単相薄膜を得ることが困難であった.今回,基板表面処理による初期成長様式の改善ならびにβ-Ga2O3バッファー層の導入について検討を行った結果,全Al組成において単相β-(AlxGa1-x)2O3薄膜成長を実現したのでこれを報告する.