[8p-A204-1~10] これからの未来を担う新ワイドギャップ酸化物材料Ga2O3

△ [8p-A204-5] 全Al組成β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ (0 ≤ x ≤ 1)薄膜のエピタキシャル成長

〇若林 諒¹、服部 真依¹、吉松 公平¹、大友 明^1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

キーワード：Ga2O3、PLD、エピタキシャル成長

β-(Al_xGa_1-x)₂O₃はβ-Ga₂O₃とのヘテロ接合デバイス応用が期待されている混晶半導体材料であるが，高Al組成側では単相薄膜を得ることが困難であった．今回，基板表面処理による初期成長様式の改善ならびにβ-Ga₂O₃バッファー層の導入について検討を行った結果，全Al組成において単相β-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜成長を実現したのでこれを報告する．