[8p-A204-1~10] これからの未来を担う新ワイドギャップ酸化物材料Ga2O3

[8p-A204-8] α-Ga₂O₃の表面バンドベンディングに関する研究

〇(M2)藤木 嘉樹¹、城川 潤二郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹、松田 時宜²、四戸 孝² (1.立命館大理工、2.株式会社 FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム、表面バンドベンディング、表面ポテンシャル

α-Ga₂O₃は、SiCやGaNと比べて約5.3 eVと大きなバンドギャップを有しており、より高耐圧、低オン抵抗なパワーデバイスへの応用が期待されている。今回は、前回の発表で示した表面バンドベンディングを生じる欠陥に関わる情報について調べるために、フェルミレベルピニングの有無及び表面ポテンシャルの面方位依存性について評価した結果を報告する。