[8p-A301-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8p-A301-2] Impact of Substrate off-angle on the m-plane GaN Schottky Diodes

〇Hisashi Yamada¹, Hiroshi Chonan¹, Tokio Takahashi¹, Mitsuaki Shimizu¹ (1.AIST)

Keywords:GaN, nonpolar, m-plane

MOCVD法でm面GaNオフ基板上に形成したショットキーダイオードについて報告する。[000-1]へ1.1°、1.7°、5.1°のオフ角度を有するm面GaN基板上に、MOCVD成長を行った。アンドープGaNの残留OおよびC濃度は、オフ角度とともに減少した。残留C濃度は0.1°（m面ジャスト）基板上よりも5.1°基板上において一桁減少した。m面GaNオフ基板上にn-GaNを4um成長し、Ni/Auのショットキーダイオードを作製した。I-Vのリーク電流特性から、0.1°基板上はリーク電流が多く、n型不純物となるO濃度が高いことやピラミッド状ファセットの形成がリーク電流の原因と考えられる。5.1°基板上はリーク電流が十分に低減されていた。