[8p-A301-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-A301-8] Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価

〇(B)石黒 稔也^1,2、藤川 紗千恵³、王 科¹、前田 哲利¹、町田 龍人²、藤代 博記²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.東理大基礎工、3.東京電機大工)

キーワード：テラヘルツ、カスケードレーザ、MOCVD

LOフォノンエネルギーがGaAs系半導体に比べて3倍程度大きなGaN系半導体を用いることで、未踏周波数5-12THzのQCL実現が期待されている。サファイア基板は温度上昇とともにTHｚ光の吸収が大きくなり、屈折率はGaNに比べて同等と大きいため、十分な光閉じ込めが得られないことがわかってきた。今回、基板リフトオフによってダブルメタル導波路を形成し高い光閉じ込めを実現することを目的として、Si基板上にGaN/AlGaN-QCL構造を作製した。