[8p-A405-1~13] 3.9 テラヘルツ全般

△ [8p-A405-3] 自由キャリア吸収抑制のための不純物添加高抵抗GaSe結晶の液相成長

〇佐藤 陽平¹、唐 超¹、田邉 匡生¹、小山 裕¹ (1.東北大工)

キーワード：ガリウムセレン、溶液成長、不純物添加

本研究では蒸気圧制御温度差液相成長法により差周波混合THz波発生に向けた層状半導体GaSe結晶の成長を行っている。
今回、THz波低周波数域の自由キャリア吸収の抑制を目的として、両性不純物元素または遷移金属元素を添加したGaSe結晶を成長した。
成長した結晶に対し行った評価では、ホール係数測定により故意には不純物を添加していない結晶と不純物を添加した結晶の電気的特性を比較し、THz帯の透過測定により透過特性を比較した。