[8p-A504-1~13] 6.1 Ferroelectric thin films

[8p-A504-8] Crystallization mechanism of ferroelectric PLZT during the post deposition annealing

〇KENJI NOMURA¹, WENSHENG WANG², HIDESHI YAMAGUCHI¹, KO NAKAMURA², TAKASHI ESHITA², SOICHIRO OZAWA², KAZUAKI TAKAI², SATORU MIHARA², YUKINOBU HIKOSAKA², MAKOTO HAMADA², YUJI KATAOKA¹ (1.Fujitsu Lab., 2.Fujitsu Semicon.)

Keywords:FeRAM, PLZT, XRD

強誘電体膜PLZTの結晶化アニール時の雰囲気において、Arに2%のO₂を含ませる (O₂; 2%)ことで、FRAMの製造歩留りが大きく向上することを見出した。X線回折による結晶構造解析を行った結果、最適なO₂; 2%では、特異的にPLZT表面のランダム配向成分が消失することが分かった。当日は、Ar/O₂流量比の異なるPLZT膜における結晶成長過程の違いから、結晶化メカニズムについて述べる。