[8p-A504-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

[8p-A504-8] 強誘電体PLZTの結晶化メカニズム

〇野村 健二¹、王 文生²、山口 秀史¹、中村 亘²、恵下 隆²、小澤 聡一郎²、高井 一章²、三原 智²、彦坂 幸信²、濱田 誠²、片岡 祐治¹ (1.富士通研、2.富士通セミコン)

キーワード：強誘電体メモリ、PLZT、X線回折

強誘電体膜PLZTの結晶化アニール時の雰囲気において、Arに2%のO₂を含ませる (O₂; 2%)ことで、FRAMの製造歩留りが大きく向上することを見出した。X線回折による結晶構造解析を行った結果、最適なO₂; 2%では、特異的にPLZT表面のランダム配向成分が消失することが分かった。当日は、Ar/O₂流量比の異なるPLZT膜における結晶成長過程の違いから、結晶化メカニズムについて述べる。