[8p-PA1-1~27] 6.3 Oxide electronics

[8p-PA1-4] Influence of magnetic field strength on low temperature growth of Al-doped ZnO thin films

〇(M2)Kazuki Yuzurihara¹, Kenta Sato¹, Hiroaki Hoshino¹, Kunio Okimura¹, Yoshio Yasumori² (1.Tokai Univ., 2.Tokai Univ. Ctr. Educ. Res. Dev.)

Keywords:AZO thin films

ZnO はワイドバンドギャップE_g = 3.3 eVのため可視光領域で高透過率を有し，AlやGaドープによって10^-4 Ωcm台の低抵抗率を示す透明導電膜として応用が進展している．しかし，薄膜太陽電池への応用にはpn接合の耐熱温度を考慮し，基板温度200℃以下での低温成膜技術が求められている．本研究では，高周波マグネトロンスパッタ(RFMS)法によるAZO薄膜の低温成長において，マグネトロン磁場強度の影響を調べた．