[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8p-PA1-4] Al-doped ZnO 薄膜の低温成長におけるマグネトロン磁場強度の影響

〇(M2)譲原 一樹¹、佐藤 賢太¹、星野 寛明¹、沖村 邦雄¹、安森 偉郎² (1.東海大院工、2.東海大学教開研セ)

キーワード：AZO薄膜

ZnO はワイドバンドギャップE_g = 3.3 eVのため可視光領域で高透過率を有し，AlやGaドープによって10^-4 Ωcm台の低抵抗率を示す透明導電膜として応用が進展している．しかし，薄膜太陽電池への応用にはpn接合の耐熱温度を考慮し，基板温度200℃以下での低温成膜技術が求められている．本研究では，高周波マグネトロンスパッタ(RFMS)法によるAZO薄膜の低温成長において，マグネトロン磁場強度の影響を調べた．