[8p-PA2-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [8p-PA2-4] 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調(Ⅱ)

〇板屋 航¹、仲江 航平¹、山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛² (1.九大・総合理工学府/研究院、2.九大・グローバルイノベーションセンター)

キーワード：半導体