[8p-PA2-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8p-PA2-6] 位置選択的ウェットエッチングによる多段SOI基板の作製－インクジェットマスクパターンの導入－

〇(M2)桑原 充輝¹、田中 捺美¹、高橋 和¹ (1.大阪府大院工)

キーワード：SOI、インクジェット、ウェットエッチング

LSIやシリコンフォトニクス分野において、SOI基板のナノメートル精度での加工技術は重要である。我々は前回、ウェットエッチングと光干渉膜厚計測を組み合わせたナノメートル精度薄膜化手法を開発し、さらに、保護膜を塗布した位置選択的エッチングを実証した。今回はインクジェットを用いて数十µmの精度で保護膜を塗布し、位置選択的エッチングを行うことによって、複数の膜厚を持つSOI基板の作製に成功したので報告する。