[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8p-PB1-2] Growth of AlN films on sapphire substrates by DC reactive sputtering method using high-vacuum sputtering system

〇Masatoshi Itoh¹, Shigeru Saito¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:aluminium nitride, sapphire, DC reactive sputtering method

C面サファイア基板上にDC反応性スパッタ法でAlN膜を成長させた。成膜にはクライオポンプで10^-8 Pa台まで真空排気された高真空平板マグネトロンスパッタ装置を使用した。ターゲットには純度99.9999%のAlターゲットを使用した。スパッタ電圧6 kV、スパッタ電流 16.7mA、スパッタ圧力1.76 ×10^-1 Pa、P_N2 / P_Ar= 0.29のスパッタ条件で成膜されたAlN膜をX線回折装置で測定を行った結果、(0002)方向への選択的な配向が観測された。