[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8p-PB1-3] Structural control of GaN film by sputtering method

〇MASAMI MESUDA¹, HIDETO KURAMOCHI¹, TOKIO TAKAHASHI², MITSUAKI SHIMIZU² (1.Tosoh corp., 2.AIST)

Keywords:sputter, GaN, target

窒化ガリウム(GaN)膜は、近年パワーデバイス用材料として注目されている。GaN膜の成膜には一般的にMOCVD法が用いられているが、高結晶性膜が得られる一方、大面積への成膜が困難である等、課題も多い。対してスパッタリング法は、これらの課題を解決できる可能性があるため、我々はGaNターゲットを用いたGaN成膜の研究を進めている。本発表では、GaNスパッタ成膜における条件等に対する膜結晶構造等への影響について報告する。