[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8p-PB1-4] Growth of GaN single-crystalline by UHV sputter epitaxy method

〇Wataru Watanabe¹, Tsubasa Yoshimura¹, Reo Suzuki¹, A-i Mizuno¹, Ki Ando¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:GaN layer, sputtering

我々は，超高真空(UHV)高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，GaN層のエピタキシャル成長を行っている．今回は，スパッタエピタキシー法によるGaN層の成長において，その成長条件と結晶品質の関係について検討を行ったので，その結果について報告する．