16:15 〜 16:30 △ [17p-301-9] SiC MOS反転層におけるホール効果移動度の低下機構 〇野口 宗隆1、岩松 俊明1、網城 啓之1、渡邊 寛1、中田 修平1、黒岩 丈晴1、喜多 浩之2、山川 聡1 (1.三菱電機、2.東大工)