14:45 〜 15:00 [14p-315-7] 自立GaN基板上ショットキー接合ダイオード用エピタキシャル層における基板オフ角とPL-YL発光強度の関係 〇堀切 文正1、成田 好伸1、吉田 丈洋1、北村 寿朗1、太田 博2、中村 徹2、三島 友義2 (1.(株)サイオクス、2.法政大学)