長川健太

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発表者・著者、共著者

2017年3月17日(金) 13:30 〜 15:30 P3 (展示ホールＢ)

一般セッション(ポスター講演)
| 15 結晶工学
| 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:30 〜 15:30

[17p-P3-3] 第一原理計算によるGaN/Al₂O₃界面構造の考察

〇長川健太¹、洗平昌晃^1,2、白石賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

2017年3月17日(金) 09:00 〜 12:15 301 (301)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

10:15 〜 10:30

△ [17a-301-6] SiC熱酸化中に発生するSiO₂中の欠陥形成

〇長川健太¹、洗平昌晃^1,2、白石賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)