[17a-301-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [17a-301-6] Defect Formation in SiO₂ during the Thermal Oxidation of SiC

〇Kenta Chokawa¹, Masaaki Araidai^1,2, Kenji Shiraishi^1,2 (1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:SiC, SiO2, Defect formation

SiCの熱酸化によって形成されたSiO₂膜およびその界面は欠陥が多いことが知られている。しかしSiの熱酸化によって得られるSiO₂膜とその界面は欠陥が非常に少ない。この違いがなぜ発生するのかを調べた。その結果SiC中のC原子がCO分子と放出される際に、SiO₂中のO原子と反応しCO₂分子を形成し、SiO₂中に酸素空孔欠陥を形成することが分かった。