13:30 〜 15:30 [17p-P3-2] サファイア基板上高品質GaN成長に向けたAlONバッファー層の物性評価 〇畑 泰希1、山崎 隆弘1、山根 悠介1、熊倉 一英2、山本 秀樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.NTT 物性基礎研)