09:30 〜 09:45 △ [15a-F201-3] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴 (3)-注入層における注入欠陥の3次元アトムプローブによる解析- 〇重松 理史1、奥山 亮輔1、廣瀬 諒1、柾田 亜由美1、門野 武1、古賀 祥泰1、奥田 秀彦1、栗田 一成1 (1.SUMCO)