09:30 〜 11:30 [16a-P4-20] Mgイオン注入を用いたGaN縦型pnダイオード構造の電気特性 〇高島 信也1、上野 勝典1、稲本 拓朗1、江戸 雅晴1、高橋 言緒2、清水 三聡2 (1.富士電機、2.産総研)