12:15 〜 12:30 △ [17a-503-13] ハイドライド気相成長法によるScAlMgO4基板上へのGaN厚膜成長と自己剥離プロセス 〇(B)大西 一生1、加納 聖也2、谷川 智之1、窪谷 茂幸1、向井 孝志2、松岡 隆志1 (1.東北大金研、2.日亜化学)