14:15 〜 14:30 [16p-503-3] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による位置制御された極微細InGaN/GaN量子井戸ナノピラーの作製と評価 〇(B)生江 祐介1、水谷 友哉1、石嶋 駿1、小川 航平1、松岡 明裕1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大・理工、2.上智大ナノテクセンター)