10:15 〜 10:30 △ [14a-315-4] サブバンドギャップ光を用いたMCTS法によるn型GaNホモエピタキシャル成長層中の正孔トラップの評価 〇鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏2、木本 恒暢2、須田 淳2,3 (1.京大工、2.京大院工、3.名大 未来材料・システム研究所)