09:30 〜 09:45 [15a-302-3] Cast-capping法によるペロブスカイト系半導体EL素子の開発:フェニル系カチオン 〇佐々木 史雄1、Nguyen Van-Cao2、柳 久雄2 (1.産総研電子光技術、2.奈良先端大物質)