09:45 〜 10:00 △ [15a-412-4] 格子状核発生領域から成長させたヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜中の欠陥形成における設計方位依存性 〇市川 公善1、児玉 英之1、鈴木 一博2、澤邊 厚仁1 (1.青学大理工、2.トウプラスエンジニアリング)