09:30 〜 09:45 △ [15a-F204-3] 後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察 〇藤榮 文博1、原田 俊太1、村山 健太1、花田 賢志1、陳 鵬磊1、加藤 智久2、田川 美穂1、宇治原 徹1,2 (1.名大、2.産総研)