09:30 〜 11:30 [16a-P5-12] C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析 〇鹿児山 陽平1、岡本 光央2、吉岡 裕典2、原田 信介2、山崎 隆浩3、大野 隆央3、梅田 享英1 (1.筑波大数物、2.産総研、3.物材機構)