Bae TaeEon

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発表者・著者、共著者

2017年3月16日(木) 13:15 〜 18:30 412 (412)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

15:00 〜 15:15

▲ [16p-412-8] Annealing effects on electrical characteristics of Ge-source/Si-channel hetero-junction tunneling FETs

〇(D)Bae TaeEon^1,2、Wakabayashi Yuki¹、Nakane Ryosho¹、Takenaka Mitsuru^1,2、Takagi Shinichi^1,2 (1.The Univ. of Tokyo、2.JST-CREST)