14:45 〜 15:00 [14p-211-6] 深い不純物準位によりキャリヤ制御する波長25-50μm帯IV-VI族半導体量子カスケードレーザの提案 〇石田 明広1、渡邉 祥司1、中嶋 聖介1 (1.静大院工)
14:30 〜 14:45 [16p-F204-2] Si基板上へのIV-VI族半導体エピタキシャル成長と中赤外線レーザへの応用 〇石田 明広1、佐藤 正宣1、秋川 弘樹1、青藤 唯1、中嶋 聖介1 (1.静大院工)