10:45 〜 11:00 [17a-301-7] ドライおよびN2O酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子占有欠陥評価 〇渡辺 浩成1、大田 晃生1、池田 弥央1、牧原 克典1、森 大輔2、寺尾 豊2、宮崎 誠一1 (1.名大院工、2.富士電機(株))