14:00 〜 14:15 [17p-211-3] 非質量分離型イオン注入によるa-Si/c-Siヘテロ接合界面のP,H分布 〇小山 晃一1、山口 昇2、田中 美和2、鈴木 英夫2、大平 圭介1、松村 英樹1 (1.北陸先端大、2.アルバック)