一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[14a-213-1~12] 6.4 薄膜新材料

2017年3月14日(火) 09:00 〜 12:15 213 (213)

遠藤民生(さがみはら表面研)、松田晃史(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

▲ [14a-213-1] Pulsed laser deposition and characterization of NbON epitaxial thin films

〇(D)Motaneeyachart Vitchaphol¹、Hirose Yasushi^1,2、Suzuki Atsushi¹、Nakao Shoichiro²、Hasegawa Tetsuya^1,2 (1.Univ. of Tokyo、2.KAST)

09:15 〜 09:30

▲ [14a-213-2] Synthesis of Molybdenum Disulfide Ribbons by Chemical Vapor Deposition in Sulfur Enriched Condition

〇Mahyavanshi Rakesh Dayaram¹、Kalita Golap¹、Tanemura Masaki¹ (1.Nagoya Inst. of Tech)

09:30 〜 09:45

▲ [14a-213-3] Deposition of Yttria Stabilized Zirconia (YSZ) Film on ZEOCOAT^® Layer by Reactive Sputtering

〇(D)Haque Mayeesha Masrura¹、Horita Susumu¹ (1.Japan Adv. Inst. Sci. & Tech. (JAIST))

10:00 〜 10:15

[14a-213-4] 単層化合物半導体で発生する光第二高調波の基板における干渉効果

菊地悠平¹、〇宮内良広²、森下亮¹、田中正俊¹、大野真也¹、鈴木隆則^2,1 (1.横国大工、2.防衛大応物)

10:15 〜 10:30

[14a-213-5] PLD法によるアンチペロブスカイト型酸化物Ca₃SnO薄膜の作製

〇簑原誠人¹、湯川龍¹、組頭広志¹ (1.高エネ研)

10:30 〜 10:45

[14a-213-6] 強磁場スパッタ法によるMn₃CuN薄膜の作製と電気・磁気特性

〇松本利希¹、浦田隆広¹、畑野敬史¹、飯田和昌¹、生田博志¹ (1.名大工)

10:45 〜 11:00

[14a-213-7] サファイアr面基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長

〇大垣武¹、坂口勲¹、大橋直樹¹、羽田肇¹ (1.物材機構)

11:00 〜 11:15

[14a-213-8] XPSによるGaGdAs:Si多層膜の電子状態分析

〇佐野翼¹、加藤昇¹、宮川勇人¹、高橋尚志¹ (1.香川大)

11:15 〜 11:30

[14a-213-9] [(CaFeO_x)_n/(LaFeO₃)_n]_m人工超格子の磁気的電気的特性

〇大橋祥平¹、松山裕貴¹、赤澤孝徳¹、小山智之¹、王春¹、張琦¹、宋華平¹、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工)

11:30 〜 11:45

[14a-213-10] スパッタリング法による(Cr_xFe_1-x)₂O₃薄膜およびCr₂O₃/Fe₂O₃積層膜の作製及び結晶構造解析

〇福井慎二郎¹、隅田貴士¹、橋本浩佑¹、平戸剛志¹、柳原康宏¹、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工)

11:45 〜 12:00

[14a-213-11] フーリエ変換赤外分光法によるSi(100)基板上のSr₂SiO₄薄膜の評価

〇谷脇将太¹、馬野光博¹、新船幸二¹、吉田晴彦¹、佐藤真一¹、堀田育志¹ (1.兵庫県立大学)

12:00 〜 12:15

[14a-213-12] H₂O 添加成膜したIn-Ga-O半導体薄膜に及ぼすアニール処理条件の影響

〇中山徳行¹、森本敏夫¹、白木真菜¹、松村文彦¹、小田倉卓也²、清水耕作² (1.住友金属鉱山、2.日本大学)

セッション情報

[14a-213-1~12] 6.4 薄膜新材料

▲ [14a-213-1] Pulsed laser deposition and characterization of NbON epitaxial thin films

▲ [14a-213-2] Synthesis of Molybdenum Disulfide Ribbons by Chemical Vapor Deposition in Sulfur Enriched Condition

▲ [14a-213-3] Deposition of Yttria Stabilized Zirconia (YSZ) Film on ZEOCOAT^® Layer by Reactive Sputtering

[14a-213-4] 単層化合物半導体で発生する光第二高調波の基板における干渉効果

[14a-213-5] PLD法によるアンチペロブスカイト型酸化物Ca₃SnO薄膜の作製

[14a-213-6] 強磁場スパッタ法によるMn₃CuN薄膜の作製と電気・磁気特性

[14a-213-7] サファイアr面基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長

[14a-213-8] XPSによるGaGdAs:Si多層膜の電子状態分析

[14a-213-9] [(CaFeO_x)_n/(LaFeO₃)_n]_m人工超格子の磁気的電気的特性

[14a-213-10] スパッタリング法による(Cr_xFe_1-x)₂O₃薄膜およびCr₂O₃/Fe₂O₃積層膜の作製及び結晶構造解析

[14a-213-11] フーリエ変換赤外分光法によるSi(100)基板上のSr₂SiO₄薄膜の評価

[14a-213-12] H₂O 添加成膜したIn-Ga-O半導体薄膜に及ぼすアニール処理条件の影響

認証

セッション情報

[14a-213-1~12] 6.4 薄膜新材料

▲ [14a-213-1] Pulsed laser deposition and characterization of NbON epitaxial thin films

▲ [14a-213-2] Synthesis of Molybdenum Disulfide Ribbons by Chemical Vapor Deposition in Sulfur Enriched Condition

▲ [14a-213-3] Deposition of Yttria Stabilized Zirconia (YSZ) Film on ZEOCOAT® Layer by Reactive Sputtering

認証

▲ [14a-213-3] Deposition of Yttria Stabilized Zirconia (YSZ) Film on ZEOCOAT^® Layer by Reactive Sputtering