[14a-213-1~12] 6.4 薄膜新材料

[14a-213-12] H₂O 添加成膜したIn-Ga-O半導体薄膜に及ぼすアニール処理条件の影響

〇中山 徳行¹、森本 敏夫¹、白木 真菜¹、松村 文彦¹、小田倉 卓也²、清水 耕作² (1.住友金属鉱山、2.日本大学)

キーワード：酸化物、半導体