[14a-213-1~12] 6.4 薄膜新材料

[14a-213-7] サファイアr面基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長

〇大垣 武¹、坂口 勲¹、大橋 直樹¹、羽田 肇¹ (1.物材機構)

キーワード：半導体、ヘテロ成長、電気特性

ScNは、岩塩型結晶構造のIIIa族窒化物半導体であり、高い電子移動度を有する材料であると期待されている。(100)配向ScN薄膜の成長用基板としては、同じ岩塩型構造のMgO(100)や、コランダム型構造のサファイアr面が用いられ、高移動度を有する薄膜は、サファイアr面基板上へのヘテロエピタキシャル成長により報告されている。しかしながら、ScNとサファイアr面とのヘテロ構造については、その詳細が明らかにされていない。本研究では、サファイアr面上にScN薄膜をヘテロ成長させ、そのヘテロ構造について評価した。