2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[14a-213-1~12] 6.4 薄膜新材料

2017年3月14日(火) 09:00 〜 12:15 213 (213)

遠藤 民生(さがみはら表面研)、松田 晃史(東工大)

10:45 〜 11:00

[14a-213-7] サファイアr面基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長

大垣 武1、坂口 勲1、大橋 直樹1、羽田 肇1 (1.物材機構)

キーワード:半導体、ヘテロ成長、電気特性

ScNは、岩塩型結晶構造のIIIa族窒化物半導体であり、高い電子移動度を有する材料であると期待されている。(100)配向ScN薄膜の成長用基板としては、同じ岩塩型構造のMgO(100)や、コランダム型構造のサファイアr面が用いられ、高移動度を有する薄膜は、サファイアr面基板上へのヘテロエピタキシャル成長により報告されている。しかしながら、ScNとサファイアr面とのヘテロ構造については、その詳細が明らかにされていない。本研究では、サファイアr面上にScN薄膜をヘテロ成長させ、そのヘテロ構造について評価した。