The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-315-1~8] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

Tue. Mar 14, 2017 9:30 AM - 11:45 AM 315 (315)

Seiji Nakamura(TMU)

9:30 AM - 9:45 AM

[14a-315-1] Impedance Analysis on various GaN porous structures with different pore shapes and carrier density

Keisuke Ito1, Xiaoyi Zhang1, Yusuke Kumazaki1, Taketomo Sato1 (1.RCIQE Hokkaido Univ.)

Keywords:Electrochemical Impedance Spectroscopy

窒化ガリウム(GaN)は、大きなバンドギャップと高い熱的・化学的安定性を持つことから、太陽電池や光触媒電極など光-化学-電気エネルギー変換材料として期待されている。さらに電気化学的手法により形成される多孔質構造は、大表面積・低光反射率という特徴を有すため、エネルギー変換効率の向上に有望である。本研究では、複雑な形状を持つGaN多孔質構造の電荷輸送特性を明らかにするため、電気化学インピーダンス法(EIS法)を用いて、周波数応答特性の解析を行った。