2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-315-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年3月14日(火) 09:30 〜 11:45 315 (315)

中村 成志(首都大)

09:45 〜 10:00

[14a-315-2] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面ダメージ層の除去

松本 悟1、枝元 将彰1、熊崎 祐介1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)

キーワード:窒化ガリウム

窒化物半導体の加工にはプラズマを利用したドライプロセスが主に用いられるが、加工ダメージがデバイス特性の劣化を招くことが報告されている。そこで、低損傷プロセスである光電気化学(PEC)反応を利用してドライプロセスで導入されたダメージの除去を試みた。